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當前位置:首頁技術文章霍爾效應測試儀霍爾效應的測量是研究半導體的重要實驗方法。

霍爾效應測試儀霍爾效應的測量是研究半導體的重要實驗方法。

更新時間:2019-07-01點擊次數(shù):3078

霍爾效應測試儀產(chǎn)品簡介:

霍爾效應的測量是研究半導體的重要實驗方法。利用霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量,變溫霍爾實驗儀可以用來確定半導體的導電類型和載流子濃度。通過測量霍爾系數(shù)與電導率溫度的變化,可以確定半導體的禁帶寬度、雜質(zhì)電離能及遷移率的溫度系數(shù)等基本參數(shù)。

霍爾效應測試儀采用現(xiàn)代電子技術和計算機數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),對霍爾樣品鉆弱場條件下進行變溫霍爾系數(shù)和電導率的測量,來確定半導體材料的各種性質(zhì)。

霍爾效應測試儀技術參數(shù):

電  磁  鐵:0-300mT可調(diào)

勵磁電源:0-可調(diào),可自動換向

穩(wěn)  定  性:<±0.1%

數(shù)字特斯拉計:0-2000mT三位半數(shù)字顯示

恒流源輸出:1mA

穩(wěn)  定  性:±0.1%

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)霍爾電壓測量分辨率:1uV

溫度變化測量范圍:80-400K

工作電源:AC 220V;50Hz

功率范圍:200W

變溫霍爾.jpg

霍爾效應測試儀實驗裝置:

變溫霍爾測試儀主要是由電磁鐵、可自動換向穩(wěn)流源、恒溫器、測溫控溫系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)等。

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